Силовой модуль FF8MR12W2M1B11

Описание
Полупроводниковые приборыДискретные полупроводниковые приборыДискретные полупроводниковые модули
Дискретные полупроводниковые модули EasyDUAL 2B 1200 V, 8 mO halfbridge module with CoolSiC MOSFET, NTC and PressFIT Contact Technology.
Технические параметры
Id — непрерывный ток утечки 150 A
Pd — рассеивание мощности 20 mW
Rds Вкл — сопротивление сток-исток 7.5 mOhms
Vds — напряжение пробоя сток-исток 1200 V
Vf — прямое напряжение 4.6 V
Vgs — напряжение затвор-исток 10 V, 20 V
Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток 3.45 V
Вид монтажа Screw Mount
Время нарастания 16.5 ns
Время спада 28 ns
Другие названия товара № FF8MR12W2M1_B11 SP001617622
Категория продукта Дискретные полупроводниковые модули
Коммерческое обозначение EasyDUAL;CoolSiC
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 40 C
Подкатегория Discrete Semiconductor Modules
Полярность транзистора N-Channel
Продукт Power MOSFET Modules
Размер фабричной упаковки 15
Тип EasyDUAL Module
Тип продукта Discrete Semiconductor Modules
Типичное время задержки выключения 57 ns
Типичное время задержки при включении 21.5 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Base Product Number FF8MR12 ->
Current — Continuous Drain (Id) @ 25В°C 150A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
ECCN EAR99
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 372nC @ 15V
HTSUS 8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11000pF @ 800V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tray
Package / Case Module
Power — Max 20mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series CoolSiCв„ў+ ->
Supplier Device Package AG-EASY2BM-2
Vgs(th) (Max) @ Id 5.55V @ 60mA