NTJD4158CT1G, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение

32,67 ₽

Артикул: 01acf5ed335b Категория:

      Описание

      NTJD4158CT1G, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение The NTJD4158CT1G is a N/P-channel complementary Small Signal MOSFET designed for cell phones, MP3s, digital cameras and PDAs. It is suitable for DC-to-DC conversion, load management and load switch applications.

      • Leading 20V Trench for low RDS (ON) performance
      • ESD protected gate
      • Small footprint

      Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

      Детали
      Бренд

      ON SEMICONDUCTOR
      Максимальная Рабочая Температура

      150 C
      Количество Выводов

      6вывод(-ов)
      Стандарт Корпуса Транзистора

      SOT-363
      Рассеиваемая Мощность

      270мВт
      Полярность Транзистора

      N и P Дополнение
      Напряжение Истока-стока Vds

      30В
      Непрерывный Ток Стока

      250мА
      Наименование

      NTJD4158CT1G, Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 250 мА, 30 В, 1 Ом, 4.5 В, 1.2 В