IXFH58N20, МОП-транзистор, N Канал, 58 А, 200 В, 0.04 Ом

1019,70 ₽

Артикул: 4352db14a5fb Категория:

      Описание

      IXFH58N20, МОП-транзистор, N Канал, 58 А, 200 В, 0.04 Ом The IXFH58N20 is a 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on) HDMOS™ process. The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.

      • Rugged polysilicon gate cell structure
      • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
      • Low inductance offers easy to drive and protect
      • Fast intrinsic rectifier
      • Space-saving s
      • High power density

      Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

      Детали
      Максимальная Рабочая Температура

      150 C
      Количество Выводов

      3вывод(-ов)
      Стандарт Корпуса Транзистора

      to-247
      Рассеиваемая Мощность

      300Вт
      Полярность Транзистора

      N Канал
      Напряжение Истока-стока Vds

      200В
      Непрерывный Ток Стока

      58А
      Наименование

      IXFH58N20, МОП-транзистор, N Канал, 58 А, 200 В, 0.04 Ом, 10 В, 4 В